Транзисторы

Найменування приладу: IPD70R900P Маркування: 70S900P Тип транзистора: MOSFET Полярність: N Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 30.5 W Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 700 V Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 16 V Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 3.5 V Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 6 A Максимальна температура каналу (Tj): 150...

Ic 25 2,3 A Ubrdss 20 В Pd 25 1,25 W Ugs max 8 В Idm 10 A Qg, nC 11

Корпус SOT-23 FT* 200 MHz Uке 60 V Uкб 60 V Ik* 0.6 A H21 300

Тип Біполярні NPN Ic* 1 A Pмакс 0,5 Вт Uce 80 V Ucb 100 V Ueb 5 V Частота 130 МГц

Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300

Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD