Транзистор польовий IPD70R900P
Код товара: 70372Оцінка покупців: 0 голосів Голосувати
Найменування приладу: IPD70R900P Маркування: 70S900P Тип транзистора: MOSFET Полярність: N Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 30.5 W Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 700 V Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 16 V Поро...
Детальний описУ вас з'явились питання?
Наш спеціаліст дасть відповіді
Наш спеціаліст дасть відповіді
- Детальний опис
Найменування приладу: IPD70R900P
Маркування: 70S900P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 30.5 W
Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 700 V
Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 16 V
Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 3.5 V
Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 6 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 6.8 nC
Час зростання (tr): 4.7 ns
Вихідна ємність (Cd): 5 pf
Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпусу: TO252
Країна виробник: Китай
Характеристики та комплектація товару можуть змінитись виробником без повідомлення
